vlastnosti produktu
TYP
POPSAT
kategorie
Diskrétní polovodičové produkty
Tranzistor – FET, MOSFET – Single
výrobce
Technologie Infineon
série
CoolGaN™
Balík
Páska a cívka (TR)
Smykové pásmo (CT)
Vlastní naviják Digi-Reel®
Stav produktu
přerušeno
Typ FET
N kanál
technika
GaNFET (Nitrid galia)
Napětí zdroje odvodnění (Vdss)
600V
Aktuální při 25 °C – kontinuální vypouštění (Id)
31A (Tc)
Napětí pohonu (max. Rds zapnuto, min. Rds zapnuto)
-
On-odpor (max) při různých ID, Vgs
-
Vgs(th) (maximum) při různých ID
1,6V @ 2,6mA
VGS (max.)
-10V
Vstupní kapacita (Ciss) při různých Vds (max)
380pF @ 400V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max)
125 W (Tc)
Provozní teplota
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
typ instalace
Typ povrchové montáže
Balení zařízení dodavatele
PG-DSO-20-87
Balíček/Příloha
20-PowerSOIC (0,433″, šířka 11,00 mm)
Základní produktové číslo
IGOT60
Média a soubory ke stažení
TYP ZDROJE
ODKAZ
Specifikace
IGOT60R070D1
Průvodce výběrem GaN
CoolGaN™ 600 V e-režim GaN HEMTs Stručný
Další související dokumenty
GaN v adaptérech/nabíječkách
GaN v Serveru a Telecomu
Spolehlivost a kvalifikace CoolGaN
Proč CoolGaN
GaN v bezdrátovém nabíjení
video soubor
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT vyhodnocovací platforma polovičního můstku s GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – nové výkonové paradigma
2500 W full-bridge totem PFC vyhodnocovací deska využívající CoolGaN™ 600 V
Specifikace HTML
CoolGaN™ 600 V e-režim GaN HEMTs Stručný
IGOT60R070D1
Klasifikace prostředí a exportu
ATRIBUTY
POPSAT
Stav RoHS
V souladu se specifikací ROHS3
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 hodin)
Stav REACH
Produkty mimo REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
